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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1000 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 150, Configurazione transistor: Singolo, Frequenza operativa massima: 150 MHz, Dimensioni: 4.01 x 4.77 x 2.41mm, Altezza: 4.01mm, MPN: ZTX690BSTZ

EUR 1.08

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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Frequenza operativa massima: 150 MHz, Dimensioni: 4.01 x 4.77 x 2.41mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Altezza: 4.01mm, MPN: ZTX690B

EUR 0.93

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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 2 A, 45 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 150, Configurazione transistor: Singolo, Frequenza operativa massima: 150 MHz, Dimensioni: 4.01 x 4.77 x 2.41mm, Altezza: 4.01mm, MPN: ZTX690B

EUR 0.80

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN2110ASTZ

EUR 0.65

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 45 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: BS250P

EUR 0.59

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 8 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 8 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVP2110A

EUR 0.71

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 850 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN4306A

EUR 1.51

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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 500 mA, 400 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 500 mA, 400 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 4.77 x 2.41 x 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZTX658

EUR 0.54

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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 3 A, 12 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, E-Line, 3 A, 12 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1000 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 150 MHz, Dimensioni: 4.01 x 4.77 x 2.41mm, Altezza: 4.01mm, MPN: ZTX688BSTZ

EUR 0.91

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DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, E-Line, 500 mA, 400 V,, Montaggio su foro

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, E-Line, 500 mA, 400 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 1000 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 50 MHz, Dimensioni: 4.01 x 4.77 x 2.41mm, Altezza: 4.01mm, MPN: ZTX758

EUR 0.74

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN2110ASTZ

EUR 0.31

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 850 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN4306A

EUR 0.72

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 5,5 Ω, 260 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 5,5 Ω, 260 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 240 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.8V, Dissipazione di potenza massima: 750 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -40 V, +40 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN4424A

EUR 1.00

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 850 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN4306A

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 1 Ω, 600 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 1 Ω, 600 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN4206ASTZ

EUR 0.66

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 500 mΩ, 900 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 500 mΩ, 900 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 850 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN4310A

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 8 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 8 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVP2110A

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 160 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 160 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 625 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVP3306A

EUR 0.76

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 4 Ω, 320 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN2110ASTZ

EUR 0.71

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 45 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BS250P

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 1 Ω, 600 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale N, 1 Ω, 600 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.01mm, Lunghezza: 4.77mm, MPN: ZVN4206A

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DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro

DiodesZetex MOSFET, canale P, 14 Ω, 230 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 45 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BS250P

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 5 Ω, 270 mA, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 625 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: VN10LP

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DiodesZetex MOSFET, canale N, 5 Ω, 270 mA, E-Line, Su foro

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