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IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP2N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP2N65X2

EUR 2.22
1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTP2N65X2

EUR 2.62
1

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTY2N65X2

EUR 0.49
1

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTY2N65X2

EUR 0.50
1

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTY2N65X2

EUR 0.50
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IXYS Relais statique,, 1 A rms/A c.c., 2 A c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 1 A rms/A c.c., 2 A c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 1 A rms/A c.c., 2 A c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1 NF, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 125pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, MPN: LCB710S

EUR 4.50
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