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Infineon MOSFET, IPA057N06N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si

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Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 2.37
1

Infineon MOSFET, IPA057N06N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si

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Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 1.31
1

Infineon MOSFET, IPA057N06N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si

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Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220FP OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

EUR 2.37
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