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Infineon MOSFET, IPP100N10S305AKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, IPP100N10S305AKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 9.25mm, MPN: IPP100N10S305AKSA1

EUR 2.75
1

Infineon MOSFET, IPB17N25S3100ATMA1, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, IPB17N25S3100ATMA1, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.4mm, MPN: IPB17N25S3100ATMA1

EUR 1.46
1

Infineon MOSFET, IPD30N10S3L34ATMA1, N-Canal-Canal, 30 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, IPD30N10S3L34ATMA1, N-Canal-Canal, 30 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 30 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 42 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 57 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.3mm, MPN: IPD30N10S3L34ATMA1

EUR 0.89
1

Infineon MOSFET, IPP100N10S305AKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, IPP100N10S305AKSA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS T Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPP100N10S305AKSA1

EUR 1.69
1