lyngby glas 42 cl de EUR 0 | Voir les prix les plus bas et des offres sur css.nordicadpartner.dk

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

EUR 10.34

1

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines, Tecnología: Sensor de movimiento, Dimensiones: 3.3 x 6.7 x 0.56mm, Tipo de Montaje: Montaje superficial

EUR 8.76

1

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines, Tecnología: Sensor de movimiento, Dimensiones: 3.3 x 6.7 x 0.56mm, Tipo de Montaje: Montaje superficial

EUR 10.55

1

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si, MPN: IRFR4104TRLPBF

EUR 1.68

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, MPN: IRF1310NSTRLPBF

EUR 1.60

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si, MPN: IRLR2905TRLPBF

EUR 0.98

1

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET, MPN: IRFR1010ZTRPBF

EUR 1.48

1

Infineon IGBT, IRG4BC40KPBF, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10.54 x 4.69 x 8.77mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IRG4BC40KPBF

EUR 3.06

1

Infineon IGBT, IRG4BC40KPBF, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10.54 x 4.69 x 8.77mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IRG4BC40KPBF

EUR 3.60

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.036 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IRF1310NSTRLPBF

EUR 1.58

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.036 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IRF1310NSTRLPBF

EUR 1.74

1

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0055 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRFR4104TRLPBF

EUR 1.83

1

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0055 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRFR4104TRLPBF

EUR 1.03

1

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0075 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 20V, MPN: IRFR1010ZTRPBF

EUR 1.61

1

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0075 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 20V, MPN: IRFR1010ZTRPBF

EUR 0.81

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.027 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRLR2905TRLPBF

EUR 1.07

1

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon Transistor bipolar, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 160 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 13 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,2 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.9mm, MPN: BFP740H6327XTSA1

EUR 0.16

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.027 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRLR2905TRLPBF

EUR 0.76

1

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon Transistor bipolar, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 160 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 13 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,2 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFP740H6327XTSA1

EUR 0.16

1

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon Transistor bipolar, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 160 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 13 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1,2 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFP740H6327XTSA1

EUR 0.16

1

Infineon MOSFET, BSC160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm, MPN: BSC160N10NS3GATMA1

EUR 1.33

1

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1V, MPN: IRFH3702TRPBF

EUR 0.43

1

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRFH3702TRPBF

EUR 0.67

1

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRFH3702TRPBF

EUR 0.30

1

Infineon MOSFET, IRLR2905TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 2.39mm, MPN: IRLR2905TRPBF

EUR 1.05

1

Vores kunder ligger øverst på Google

Google Ads Specialister fra Vestjylland

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

Infineon Transceptor RF BGT60LTR11AIPE6327XUMA2, PG-UF2BGA, 42 pines

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon IGBT, IRG4BC40KPBF, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Infineon IGBT, IRG4BC40KPBF, N-Canal, 42 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon MOSFET, IRFR4104TRLPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 40 V, 3-Pin, DPAK HEXFET Si

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IRFR1010ZTRPBF, Dual, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon Transistor bipolar, BFP740H6327XTSA1, NPN 30 mA 4 V SOT-343, 4 pines, 42 GHz, Simple

Infineon MOSFET, BSC160N10NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 42 A, 100 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFH3702TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 30 V, 8-Pin, PQFN HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRLR2905TRPBF, N-Canal-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si

NORDIC AD PARTNER

Powered by Cobiro