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Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

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Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

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EUR 0.31
1