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Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 4.02

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Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 4.10

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Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, MPN: BSC019N08NS5ATMA1

EUR 3.41

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPD70N12S311ATMA1

EUR 1.16

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPD70N12S311ATMA1

EUR 1.87

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS - T, MPN: IPB160N04S203ATMA4

EUR 3.85

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Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

EUR 1.75

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS™-T, MPN: IPD35N10S3L26ATMA1

EUR 1.37

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Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS™-T, MPN: IPD35N10S3L26ATMA1

EUR 0.77

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS - T, MPN: IPB160N04S203ATMA4

EUR 2.42

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, PG-TO263-3-2, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, PG-TO263-3-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPB50N12S3L15ATMA1

EUR 1.24

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPP70N12S311AKSA1

EUR 2.18

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPP70N12S311AKSA1

EUR 2.18

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Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

EUR 0.98

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Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, PG-TO263-3-2, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, PG-TO263-3-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPB50N12S3L15ATMA1

EUR 1.98

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Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 237 A, PG-T-SON-8-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0111 Ω, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,026 Ω, 35 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, PG-TO263-3-2, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,0116 O, 70 A, PG-TO220-3-1, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,015 O, 50 A, PG-TO252-3-11, Montaggio superficiale

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