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Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon Diode varicap, 4.7pF 10V TSLP-2-1, MPN: BBY5802VH6327XTSA1

EUR 0.13

1

Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon Diode varicap, 4.7pF 10V TSLP-2-1, Configuration de diode: Simple, MPN: BBY5802VH6327XTSA1

EUR 0.15

1

Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon Diode varicap, 4.7pF 10V TSLP-2-1, Configuration de diode: Simple, MPN: BBY5802VH6327XTSA1

EUR 0.14

1

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches, MPN: IRFU7746PBF

EUR 0.55

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V, MPN: F445MR12W1M1B76BPSA1

EUR 72.75

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1

EUR 203.93

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 265.72

1

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Courant d'impulsion crête maximum: ±3A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Capacité: 6.5pF, Dimensions: 0.58 x 0.28 x 0.15mm, MPN: ESD200B1CSP0201XTSA1

EUR 0.11

1

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Courant d'impulsion crête maximum: ±3A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 0.58 x 0.28 x 0.15mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Capacité: 6.5pF, MPN: ESD200B1CSP0201XTSA1

EUR 0.03

1

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Courant d'impulsion crête maximum: ±3A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 0.58 x 0.28 x 0.15mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Capacité: 6.5pF, MPN: ESD200B1CSP0201XTSA1

EUR 0.11

1

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V, MPN: FS03MR12A6MA1BBPSA1

EUR 2899.68

1

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, MPN: FS03MR12A6MA1BBPSA1

EUR 2636.48

1

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, MPN: FS03MR12A6MA1BBPSA1

EUR 2958.86

1

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0112 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Série: HEXFET, MPN: IRFU7746PBF

EUR 0.60

1

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,0112 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Série: HEXFET, MPN: IRFU7746PBF

EUR 0.39

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,0113 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 271.14

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F445MR12W1M1B76BPSA1

EUR 74.23

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,015 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1

EUR 208.09

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,045 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F445MR12W1M1B76BPSA1

EUR 61.62

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,0113 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 250.09

1

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V, Type de montage: Montage sur châssis, Résistance Drain Source maximum: 0,015 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5.55V, Matériau du transistor: SiC, Série: F4, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1

EUR 191.94

1

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IDH03G65C5XKSA2

EUR 1.65

1

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IDH03G65C5XKSA2

EUR 1.76

1

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IDH06G65C5XKSA2

EUR 2.75

1

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IDH06G65C5XKSA2

EUR 3.06

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon Diode varicap, BBY5802VH6327XTSA1, 4.7pF 10V TSLP-2-1

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Diode TVS Bidirectionnel, claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N/P,, AG-HYBRIDD-2 400 A 1 200 V

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, I-Pak 59 A 75 V, 3 broches

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 25 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 100 A 1 200 V

Infineon Module MOSFET canal N,, AG-EASY1B-2 75 A 1 200 V

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 3A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2

Infineon Diode de commutation traversante, 6A, 650V, PG-TO220-2

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