Infineon MOSFET, canale N, 530 mΩ, 16,8 A, TO-220FP, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 530 mΩ, 16,8 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 33 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 0.9V, MPN: IPA60R230P6XKSA1