Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale P, TO-247
Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale P, TO-247, Corrente massima continuativa collettore: 75 A, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 938 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 10.8mJ, Capacità del gate: 4856pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IKQ75N120CT2XKSA1