Vores kunder ligger øverst på Google

Google Ads Specialister fra Vestjylland

Vi er 100% dedikerede til Google Annoncering – Vi har mange års erfaring med Google Ads og den bruger vi på at opsætte, optimere & vedligeholde vores fantastiske kunders konti.

100% Specialiseret i Google Ads
Vi har mange års erfaring fra +300 konti
Ingen lange bindinger & evighedskontrakter
Jævnlig opfølgning med hver enkelt kunde
Vi tager din virksomhed seriøst
KONTAKT OS
LÆS UDTALELSER & SUCCESHISTORIER

1.442 Résultats (0,21528 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Afficher tout

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2 V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2 V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, BSL215CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,

Infineon MOSFET, Dual, N/P-Canal, 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, 6-Pin,, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Encapsulado: TSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 1,5 A (canal N), -1,5 A (canal P), Tension Drain Source maximum: 20 V (canal N), -20 V (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.6 V, 1.2 V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7 V, 1.2 V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches

Infineon MOSFET canal N/P,, TSOP, 6 broches, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 1,5 A (canal N), -1,5 A (canal P), Tension Drain Source maximum: 20 V (canal N), -20 V (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.6 V, 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7 V, 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.55
1

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A (canale N), -1,5 A (canale P), TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 (Canale N) V, -20 (Canale P) V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2 V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2 V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: BSL215CH6327XTSA1

EUR 0.31
1

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3GATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3GATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 69 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSZ086P03NS3GATMA1

EUR 0.45
1

Infineon MOSFET, BSO201SPHXUMA1, P-Canal, 14,9 A, 20 V, 8-Pin, DSO OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSO201SPHXUMA1, P-Canal, 14,9 A, 20 V, 8-Pin, DSO OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 14,9 A, 20 V, 8-Pin, DSO OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSO201SPHXUMA1

EUR 0.50
1

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 69 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSZ086P03NS3EGATMA1

EUR 0.88
1

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3GATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3GATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 69 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSZ086P03NS3GATMA1

EUR 0.87
1

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 69 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSZ086P03NS3EGATMA1

EUR 0.44
1

Infineon MOSFET, BSC060P03NS3EGATMA1, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSC060P03NS3EGATMA1, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 6.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC060P03NS3EGATMA1

EUR 0.63
1

Infineon MOSFET, BSC060P03NS3EGATMA1, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, BSC060P03NS3EGATMA1, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si

Infineon MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS P Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 6.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSC060P03NS3EGATMA1

EUR 1.11
1