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MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 2,8 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 2,8 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 30,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF3N50TH

EUR 0.23

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF65R190PTH

EUR 2.25

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 750 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 27,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF60R750PTH

EUR 0.83

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF11N60BTH

EUR 0.89

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF60R190PTH

EUR 2.15

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 750 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 27,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF60R750PTH

EUR 0.93

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 350 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 49,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, Hauteur: 16.13mm, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.87

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, Hauteur: 16.13mm, MPN: MMF60R190PTH

EUR 1.64

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF9N50BTH

EUR 0.62

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, Hauteur: 16.13mm, MPN: MMF65R190PTH

EUR 2.04

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF65R190PTH

EUR 2.04

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF9N50BTH

EUR 0.68

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 49 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF11N60BTH

EUR 0.82

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 350 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 49,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.67

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMF60R190PTH

EUR 1.95

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 27 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF5N50BTH

EUR 0.45

1

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 350 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 49,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.71mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.66

1

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.7V, Dissipation de puissance maximum: 59,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDD1503RH

EUR 0.19

1

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.7V, Dissipation de puissance maximum: 59,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDD1503RH

EUR 0.19

1

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDD3N40RH

EUR 0.18

1

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MDD3N40RH

EUR 0.17

1

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.7V, Dissipation de puissance maximum: 59,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.1V, Hauteur: 2.39mm, MPN: MDD1503RH

EUR 0.33

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Genre

Marchand

Prix (EUR)

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 2,8 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5,7 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

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MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 650 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 9 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 11 A 660 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 20 A 600 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 5 A 500 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, TO-220F 16 A 550 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 87 A 30 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches

MagnaChip MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 400 V, 3 broches

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