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Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.15V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Altura: 1.05mm, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.43

1

Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFS20

EUR 0.34

1

Nexperia Transistor, PBHV8140Z,115, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,45 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: 500 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 6.7 x 3.7 x 1.8mm, MPN: PBHV8140Z,115

EUR 0.29

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Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: BFS20

EUR 0.32

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Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: BF550,215

EUR 0.13

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Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 200 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFS20W,115

EUR 0.06

1

Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 200 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFS20W,115

EUR 0.23

1

Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BF550,215

EUR 0.31

1

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.9mm, MPN: PSMN9R0-25MLC,115

EUR 0.64

1

Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.15V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.82

1

Nexperia Transistor, PBHV8140Z,115, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,45 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 500 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 6.7 x 3.7 x 1.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 250 mV, MPN: PBHV8140Z,115

EUR 0.46

1

Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BF550,215

EUR 0.07

1

Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.15V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PSMN1R5-25YL,115

EUR 0.43

1

Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFS20,215

EUR 0.17

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Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 200 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Base Máxima del Colector: 30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: BFS20W,115

EUR 0.23

1

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN9R0-25MLC,115

EUR 0.67

1

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN9R0-25MLC,115

EUR 0.33

1

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 179 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN1R2-25YLC,115

EUR 0.98

1

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,25 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 272 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN0R9-25YLC,115

EUR 1.90

1

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 179 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN1R2-25YLC,115

EUR 0.85

1

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 179 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN1R2-25YLC,115

EUR 1.72

1

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,25 MΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 272 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN0R9-25YLC,115

EUR 2.06

1

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,25 MΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 272 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN0R9-25YLC,115

EUR 1.08

1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9Y29-40E,115, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.45V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.5V, Disipación de Potencia Máxima: 37 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 15 V, MPN: BUK9Y29-40E,115

EUR 0.41

1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9Y29-40E,115, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.45V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.5V, Disipación de Potencia Máxima: 37 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 15 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: BUK9Y29-40E,115

EUR 0.33

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Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBHV8140Z,115, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia Transistor, PBHV8140Z,115, NPN 1 A 400 V SOT-223, 3 + Tab pines, 25 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BF550,215, PNP 25 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 325 MHz, Simple

Nexperia MOSFET, PSMN1R5-25YL,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, LFPAK Simple Si

Nexperia Transistor, BFS20,215, NPN 25 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 450 MHz, Simple

Nexperia Transistor, BFS20W,115, NPN 25 mA 20 V SC-70, SOT-323, 3 pines, 470 MHz, Simple

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN9R0-25MLC,115, N-Canal-Canal, 55 A, 25 V, 8-Pin, LFPAK33 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN1R2-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN0R9-25YLC,115, N-Canal-Canal, 100 A, 25 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9Y29-40E,115, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9Y29-40E,115, N-Canal-Canal, 25 A, 40 V, 4 + Tab-Pin, LFPAK56, Power SO8 Simple

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