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Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.6mm, MPN: NX1029X,115

EUR 0.26
1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 990 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.19
1

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.17
1

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX1029X,115, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 170 mA, 330 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.45
1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 990 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.23
1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, NX3008CBKS,115, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, Dual, N/P-Canal, 200 mA, 350 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) NX3008CBKS, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 990 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4.025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Altura: 0.36mm, Longitud: 1.15mm, MPN: PMDXB950UPELZ

EUR 0.17
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4.025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Altura: 0.36mm, Longitud: 1.15mm, MPN: PMDXB950UPEZ

EUR 0.08
1

Nexperia MOSFET, BSS192,115, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si

Nexperia MOSFET, BSS192,115, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si

Nexperia MOSFET, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS192,115

EUR 0.24
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4.025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMDXB950UPELZ

EUR 0.34
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPELZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMDXB950UPELZ

EUR 0.12
1

Nexperia MOSFET, BSS192,115, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si

Nexperia MOSFET, BSS192,115, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si

Nexperia MOSFET, P-Canal, 200 mA, 240 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSS192,115

EUR 0.54
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4.025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMDXB950UPEZ

EUR 0.08
1

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET, PMDXB950UPEZ Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216

Nexperia MOSFET Hex, P-Canal, -500 mA, -20 V, 8-Pin, DFN1010B-6, SOT1216, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -0.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 4025 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMDXB950UPEZ

EUR 0.08
1