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Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS84,215

EUR 0.34
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Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 830 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BST82,215

EUR 0.16
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Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 10 Ω, 190 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 830 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BST82,215

EUR 0.42
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Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23 (TO -236AB), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS84,215

EUR 0.06
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