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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.23
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.09
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX1029X,115

EUR 0.26
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.19
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.45
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.17
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Nexperia MOSFET canal P,, SOT-883B 680 mA 20 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-883B 680 mA 20 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-883B 680 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 2,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMZB670UPE,315

EUR 0.05
1

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-89 200 mA 240 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-89 200 mA 240 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-89 200 mA 240 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS192,115

EUR 0.54
1

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 420 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS84AK

EUR 0.11
1

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal P,, SOT-23 180 mA 50 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 420 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS84AK

EUR 0.04
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