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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX1029X,115

EUR 0.26
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.23
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.09
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Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: -12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: -0.9V, Tensione di soglia gate minima: -0.4V, Dissipazione di potenza massima: 12500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 8 V, Lunghezza: 0.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMCM4401VPEZ

EUR 0.08
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Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 160 mΩ, -4,9 A, WLCSP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: -12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: -0.9V, Tensione di soglia gate minima: -0.4V, Dissipazione di potenza massima: 12500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 8 V, Lunghezza: 0.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMCM4401VPEZ

EUR 0.08
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 Ω, 4,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 990 mW, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: NX3008CBKS,115

EUR 0.19
1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.17
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Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 170 mA, 330 mA 50 V, 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,6 Ω, 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX1029X,115

EUR 0.45
1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
1

Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale P, 76 mΩ, 3.9 A, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.47V, Dissipazione di potenza massima: 1920 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMV65XP,215

EUR 0.36
1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09
1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33
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