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Renesas Electronics IGBT, RJP4010AGE-01#P5,, 150 A (impulsion), 400 V, TSOJ, 8 broches, Simple

Renesas Electronics IGBT,, 150 A (impulsion), 400 V, TSOJ, 8 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±6V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Type de montage: CMS, Dimensions: 3.1 x 2.5 x 1mm, Capacité de grille: 5100pF, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: RJP4010AGE-01#P5

EUR 1.20

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Renesas Electronics Transistor, NPN Simple, 5 A, 100 V, IPAK (TO-251), 3 broches

Renesas Electronics Transistor, NPN Simple, 5 A, 100 V, IPAK (TO-251), 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 2000 mW, Tension Collecteur Base maximum: 150 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 5.5 x 6.5 x 2.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.5 V, MPN: 2SC4331-AZ(K)

EUR 0.63

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Renesas Electronics Butée 9DB106BGLFT, TSSOP 28 broches

Renesas Electronics Butée 9DB106BGLFT, TSSOP 28 broches, Courant d'alimentation maximum: 150 mA, fréquence d'entrée maximum: 105MHz, Type de montage: CMS, Dimensions: 9.70 x 4.40 x 1.00mm, Longueur: 9.7mm, Largeur: 4.4mm, Hauteur: 1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,465 V, Température d'utilisation maximum: 70 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3,135 V

EUR 3.43

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Renesas Electronics Diode Zener, 11V, dissip. ≤ 200 mW Super MiniMold

Renesas Electronics Diode Zener, 11V, dissip. ≤ 200 mW Super MiniMold, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Usage général, Courant de test: 5mA, Impédance zener maximum: 30Ω, Courant de fuite inverse maximum: 2µA, Dimensions: 1.7 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RD11S-A

EUR 0.09

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Renesas Electronics Butée 9DB106BGLFT, TSSOP 28 broches

Renesas Electronics Butée 9DB106BGLFT, TSSOP 28 broches, Courant d'alimentation maximum: 150 mA, fréquence d'entrée maximum: 105MHz, Type de montage: CMS, Dimensions: 9.70 x 4.40 x 1.00mm, Longueur: 9.7mm, Largeur: 4.4mm, Hauteur: 1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,465 V, Température d'utilisation maximum: 70 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3,135 V

EUR 1.86

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Renesas Electronics Buffer 9DB106BGLFT 105MHz max, TSSOP 28 Pin

Renesas Electronics Buffer 9DB106BGLFT 105MHz max, TSSOP 28 Pin, Corrente di alimentazione massima: 150 mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 9.70 x 4.40 x 1.00mm, Lunghezza: 9.7mm, Larghezza: 4.4mm, Altezza: 1mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 3,465 V, Massima temperatura operativa: 70 °C, Tensione di alimentazione operativa minima: 3,135 V

EUR 1.86

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Renesas Electronics Buffer 9DB106BGLFT 105MHz max, TSSOP 28 Pin

Renesas Electronics Buffer 9DB106BGLFT 105MHz max, TSSOP 28 Pin, Corrente di alimentazione massima: 150 mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 9.70 x 4.40 x 1.00mm, Lunghezza: 9.7mm, Larghezza: 4.4mm, Altezza: 1mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 3,465 V, Massima temperatura operativa: 70 °C, Tensione di alimentazione operativa minima: 3,135 V

EUR 3.43

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Renesas Electronics Diode Zener, 12V, dissip. ≤ 200 mW Super MiniMold

Renesas Electronics Diode Zener, 12V, dissip. ≤ 200 mW Super MiniMold, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Usage général, Courant de test: 5mA, Impédance zener maximum: 35Ω, Courant de fuite inverse maximum: 2µA, Dimensions: 1.7 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RD12S-A

EUR 0.09

1

Renesas Electronics Amplificador operacional EL8201ISZ, 5 V 100MHZ SOIC, 8 pines, Salida Raíl a Raíl

Renesas Electronics Amplificador operacional EL8201ISZ, 5 V 100MHZ SOIC, 8 pines, Salida Raíl a Raíl, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Único, Slew Rate Típico: 200V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ganancia de Tensión Típica: 90 dB, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm

EUR 1.86

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Renesas Electronics Transistor NPN, 16 Pin, SOIC, 65 mA, 8 V, Montaggio superficiale

Renesas Electronics Transistor NPN, 16 Pin, SOIC, 65 mA, 8 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 150 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base del collettore: 12 V, Tensione massima base emitter: 5,5 V, Frequenza operativa massima: 8000 MHz, Dimensioni: 1.5 x 10 x 4mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, MPN: HFA3127BZ

EUR 13.85

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Renesas Electronics Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado

Renesas Electronics Transistor, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 12 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5,5 V, Dimensiones: 1.5 x 10 x 4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: HFA3127BZ

EUR 11.93

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Renesas Electronics Transistor, HFA3127BZ, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado

Renesas Electronics Transistor, NPN 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines, 8.000 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 12 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5,5 V, Dimensiones: 1.5 x 10 x 4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: HFA3127BZ

EUR 13.85

1

Renesas Electronics Transistor NPN, 16 Pin, SOIC, 65 mA, 8 V, Montaggio superficiale

Renesas Electronics Transistor NPN, 16 Pin, SOIC, 65 mA, 8 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 150 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base del collettore: 12 V, Tensione massima base emitter: 5,5 V, Frequenza operativa massima: 8000 MHz, Dimensioni: 1.5 x 10 x 4mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, MPN: HFA3127BZ

EUR 11.93

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Renesas Electronics Diodo di protezione ESD, SMD, Super MiniMold

Renesas Electronics Diodo di protezione ESD, SMD, Super MiniMold, Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 2, Minima temperatura operativa: -55 °C, Dimensioni: 1.7 x 1.25 x 0.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Lunghezza: 1.7mm, Massima corrente di perdita inversa: 2µA, Corrente di test: 5mA, Larghezza: 1.25mm, MPN: NNCD11D-A

EUR 0.03

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Renesas Electronics Diode de protection ESD Super MiniMold, 2 broches

Renesas Electronics Diode de protection ESD Super MiniMold, 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 1.7 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 1.7mm, Courant de fuite inverse maximum: 2µA, Courant de test: 5mA, Largeur: 1.25mm, MPN: NNCD11D-A

EUR 0.03

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