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STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.75mm, MPN: STP65NF06

EUR 2.19
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STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.10
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STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06L, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06L

EUR 2.46
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STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Altura: 4.6mm, Longitud: 10.4mm, MPN: STB60NF06LT4

EUR 1.46
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STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 1.71
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STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.4mm, MPN: STD60NF06T4

EUR 1.61
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STMicroelectronics MOSFET, STB60NF06LT4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +15 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STB60NF06LT4

EUR 0.85
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STMicroelectronics MOSFET, STP60NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.67
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STMicroelectronics MOSFET, STP65NF06, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 STripFET II Simple Si

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EUR 2.42
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EUR 2.08
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EUR 1.51
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STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 1.88
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STMicroelectronics MOSFET, STD60NF06T4, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si

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STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) STripFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: STD60NF06T4

EUR 0.94
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