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STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6

EUR 0.76
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6

EUR 1.55
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: STL42P6LLF6

EUR 1.25
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 26 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL42P4LLF6

EUR 0.71
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL42P6LLF6

EUR 1.67
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STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL42P6LLF6

EUR 0.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.16
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: STN3P6F6

EUR 0.55
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.48
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STN3P6F6

EUR 0.37
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STN3P6F6

EUR 0.79
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STD26P3LLH6

EUR 0.60
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 160 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: STD10P6F6

EUR 0.91
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STD26P3LLH6

EUR 1.21
1