STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK, Montaggio superficiale
STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 40 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 4.37mm, MPN: STB45N30M5