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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.67
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP60NF06

EUR 1.51
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 14 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 14 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 14 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP65NF06

EUR 2.42
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