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STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: STL42P6LLF6

EUR 1.25
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STL42P6LLF6

EUR 1.67
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, PowerFLAT 42 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STL42P6LLF6

EUR 0.82
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.48
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 350 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.16
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: STD10P6F6

EUR 0.91
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD26P3LLH6

EUR 0.60
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD26P3LLH6

EUR 1.21
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STN3P6F6

EUR 0.79
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD10P6F6

EUR 0.94
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, DPAK (TO-252) 10 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD10P6F6

EUR 0.42
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STN3P6F6

EUR 0.37
1

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal P,, SOT-223 3 A 60 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: STN3P6F6

EUR 0.55
1