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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.86
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 2.88
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.44
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW25NM60ND

EUR 2.56
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 7.16
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 6.81
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STF28N60DM2

EUR 3.62
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28NM50N

EUR 7.90
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP28NM50N

EUR 6.08
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STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 21 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 158 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 35 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF28NM50N

EUR 5.95
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