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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 0.95mm, Lunghezza: 5.4mm, MPN: STL90N6F7

EUR 1.13
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.16
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP16NF06L

EUR 1.23
1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.48
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 3.66
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP16NF06L

EUR 1.23
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP140N8F7

EUR 2.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP140N8F7

EUR 2.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 90 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP140N8F7

EUR 3.16
1

STMicroelectronics MOSFET, STL90N6F7, N-Canal-Canal, 90 A, 60 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET F7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STL90N6F7, N-Canal-Canal, 90 A, 60 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET F7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 90 A, 60 V, 8-Pin, PowerFLAT STripFET F7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 94 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.95mm, Longitud: 5.4mm, MPN: STL90N6F7

EUR 1.13
1

STMicroelectronics MOSFET, STP140N8F7, N-Canal-Canal, 90 A, 80 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP140N8F7, N-Canal-Canal, 90 A, 80 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 90 A, 80 V, 3-Pin, TO-220 STripFET H7 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 15.75mm, MPN: STP140N8F7

EUR 2.69
1