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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.18

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.10

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STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.18

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.10

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW40N120G2VAG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.18

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 20.67

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.65

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW100N65G2AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.10

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.83

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STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTH40N120G2V7AG

EUR 22.86

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 31.55

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STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 20.67

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.65

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 31.55

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCT, MPN: SCTH40N120G2V7AG

EUR 22.86

1

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, Série: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.83

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW40N120G2VAG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,105 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 20.67

1

STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW40N120G2VAG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,105 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.65

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW100N65G2AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,105 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.83

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTH40N120G2V7AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,105 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH40N120G2V7AG

EUR 22.86

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW100N65G2AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,105 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW100N65G2AG

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Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW40N120G2VAG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW100N65G2AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTW40N120G2VAG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247 SCT SiC

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STMicroelectronics Módulo MOSFET, SCTH40N120G2V7AG, N-Canal-Canal, 33 A, 1.200 V, Reducción, 7-Pin, H2PAK-7 SCT SiC

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