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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.09
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.96
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP3N150

EUR 5.27
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP10NK80ZFP

EUR 5.10
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STH3N150-2

EUR 5.59
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.96
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP10NK80ZFP

EUR 5.10
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.09
1

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.38
1

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.96
1

STMicroelectronics MOSFET, STP10NK80ZFP, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP10NK80ZFP, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 40000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP10NK80ZFP

EUR 5.10
1

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW10NK80Z, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 9 A, 800 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW10NK80Z

EUR 5.09
1