STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 6.52 1
STMicroelectronics MOSFET, SCTWA90N65G2V-4, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC EUR 35.33 1
STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 7.57 1
STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple STMicroelectronics IGBT,, 145 A, 650 V, To247-4, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 6.54 1
STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 6.52 1
STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches STMicroelectronics MOSFET canal N,, HiP247-4 119 A 650 V, 4 broches, MPN: SCTWA90N65G2V-4 EUR 35.33 1
STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches STMicroelectronics MOSFET canal N,, Hip247-4 45 A 650 V, 4 broches, MPN: SCTWA35N65G2V-4 EUR 17.15 1
STMicroelectronics MOSFET, SCTWA90N65G2V-4, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.024 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V EUR 31.77 1
STMicroelectronics MOSFET, SCTWA90N65G2V-4, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.024 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V EUR 36.06 1
STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 7.57 1
STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 441 W, MPN: STGW100H65FB2-4 EUR 6.54 1
STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW48N60M6-4, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, MPN: STW48N60M6-4 EUR 7.36 1
STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, MPN: STW70N60DM6-4 EUR 11.88 1
STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 39 A 600 V, 4 broches, MPN: STW48N60M6-4 EUR 7.36 1
STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches STMicroelectronics Module MOSFET canal N,, To247-4 62 A 600 V, 4 broches, MPN: STW70N60DM6-4 EUR 11.88 1
STMicroelectronics Memoria EEPROM I2C, da 256kbit, WLCSP-4, SMD, 4 pin STMicroelectronics Memoria EEPROM I2C, da 256kbit, WLCSP-4, SMD, 4 pin, MPN: M24256X-FCU6T/VF EUR 0.39 1
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio, MPN: SCTWA35N65G2V-4 EUR 17.15 1
STMicroelectronics MOSFET, SCTWA60N120G2-4, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW STMicroelectronics MOSFET, 60 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 SCTW, MPN: SCTWA60N120G2-4 EUR 23.49 1
STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 4 A 60 V, 4 broches, MPN: STN3NF06 EUR 0.81 1
STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches STMicroelectronics MOSFET canal N,, To247-4 72 A 650 V, 4 broches, MPN: STW68N65DM6-4AG EUR 17.08 1
STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1 STMicroelectronics IGBT, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1, MPN: STGW75H65DFB2-4 EUR 5.43 1
STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, M24256X-FCU6T/VF, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches STMicroelectronics Puce mémoire EEPROM, 256Kbit, I2C WLCSP-4, 4 broches, MPN: M24256X-FCU6T/VF EUR 0.39 1
STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW48N60M6-4, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,061 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STW48N60M6-4 EUR 8.36 1
STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW48N60M6-4, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 39 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,061 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STW48N60M6-4 EUR 9.70 1
STMicroelectronics Módulo MOSFET, STW70N60DM6-4, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC STMicroelectronics Módulo MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, Reducción, 4-Pin, TO247-4 ST SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,036 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: STW70N60DM6-4 EUR 13.78 1