STMicroelectronics MOSFET, canale P, 20 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale P, 20 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 1.5mm, MPN: STS10P4LLF6