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Taiwan Semiconductor Transistor, TSC4505CX RFG, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, MPN: TSC4505CX RFG

EUR 0.25

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Taiwan Semiconductor Transistor, TSC4505CX RFG, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,5 V, MPN: TSC4505CX RFG

EUR 0.31

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Taiwan Semiconductor Transistor, TSC4505CX RFG, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple

Taiwan Semiconductor Transistor, NPN 300 mA 400 V SOT-23, 3 pines, 10 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.1 x 1.7 x 1.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,5 V, MPN: TSC4505CX RFG

EUR 0.25

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A100G R0

EUR 0.62

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 100V, R 6

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 100V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A10G R0

EUR 0.39

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 100V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A10G R0

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 100V, R 6

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 100V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broches: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A10G R0

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 950mV, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A100G R0

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 200V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A20G R0

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 200V, R 6

Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 200V, R 6, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Diamètre: 7.2mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 250A, MPN: 6A20G R0

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Taiwan Semiconductor Diode traversante, 6A, 1000V, R 6

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