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Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, MPN: SSM3J328R,LF(T

EUR 0.11

1

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.19

1

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, MPN: SSM3J338R,LF(T

EUR 0.14

1

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A, MPN: TBD62783APG(Z,HZW)

EUR 1.00

1

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A, MPN: TBD62783APG(Z,HZW)

EUR 1.58

1

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A, MPN: TBD62783APG(Z,HZW)

EUR 1.39

1

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.16

1

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tensione di soglia gate massima: 1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J328R,LF(T

EUR 0.09

1

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tensione di soglia gate massima: 1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J328R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.22

1

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Tensione di soglia gate massima: 1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J338R,LF(T

EUR 0.16

1

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Tensione di soglia gate massima: 1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J338R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.13

1

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,9 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +20 V, Altezza: 1.52mm, Lunghezza: 4.9mm, MPN: TPC8125

EUR 0.79

1

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 27 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TJ8S06M3L

EUR 0.89

1

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 27 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: TJ8S06M3L

EUR 1.34

1

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TJ40S04M3L

EUR 0.84

1

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TJ40S04M3L

EUR 1.48

1

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: TJ15P04M3

EUR 0.57

1

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 27 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TJ8S06M3L

EUR 1.48

1

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,9 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +20 V, Lunghezza: 4.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPC8125

EUR 0.83

1

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,9 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +20 V, Lunghezza: 4.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPC8125

EUR 0.46

1

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: TJ40S04M3L

EUR 1.26

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba Switch di alimentazione CI, 8 canali, P-DIP18, 18 pin, 2 - 50 V., -0.5A

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 8,84e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 1,29e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 2,63 e+007 Ω, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 4e+008 Ω, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 48 mΩ, 15 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 130 mΩ, 8 A, DPAK, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale P, 13 mΩ, 40 A, DPAK, Montaggio superficiale

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