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Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.02mm, Longueur: 3.04mm, MPN: SI2325DS-T1-E3

EUR 0.66

1

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3

EUR 1.06

1

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3

EUR 0.59

1

Vishay Multiplexer; Analog; 8; 44 V; 40 Ohms (Typ.); 1 nA (Max.); 1 nA (Max.); -40 deg

Vishay Multiplexer; Analog; 8; 44 V; 40 Ohms (Typ.); 1 nA (Max.); 1 nA (Max.); -40 deg, MPN: DG408DY-E3

EUR 2.77

1

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46EP-T1_GE3

EUR 1.01

1

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46EP-T1_GE3

EUR 0.86

1

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46EP-T1_GE3

EUR 0.54

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46ELP-T1_GE3

EUR 0.54

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46ELP-T1_GE3

EUR 0.86

1

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V, MPN: SQJB46ELP-T1_GE3

EUR 1.01

1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1, MPN: SQ2389ES-T1_GE3

EUR 0.45

1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1, MPN: SQ2318AES-T1_GE3

EUR 0.40

1

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @, MPN: SI5515CDC-T1-GE3

EUR 0.66

1

Vishay MOSFET canal N,, TO-252 30 A 40 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-252 30 A 40 V, 3 broches, MPN: SQD40052EL_GE3

EUR 0.73

1

Vishay MOSFET canal N,, SOT-23 8 A 40 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, SOT-23 8 A 40 V, 3 broches, MPN: SQ2318BES-T1_GE3

EUR 0.54

1

Vishay MOSFET canal N,, Super-247 40 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, Super-247 40 A 600 V, 3 broches, MPN: SiHFPS40N60K-GE3

EUR 5.44

1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1, Courant continu de Drain maximum: 8 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de boîtier: SOT-23, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,036 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SQ2318AES-T1_GE3

EUR 0.51

1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1, Courant continu de Drain maximum: 4,1 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de boîtier: SOT-23, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,188 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SQ2389ES-T1_GE3

EUR 0.58

1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1, Courant continu de Drain maximum: 4,1 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de boîtier: SOT-23, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,188 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SQ2389ES-T1_GE3

EUR 0.29

1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1, Courant continu de Drain maximum: 8 A, Tension Drain Source maximum: 40 V, Type de boîtier: SOT-23, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,036 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Série: TrenchFET, MPN: SQ2318AES-T1_GE3

EUR 0.21

1

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3, Type de montage: Traversant, Type de sortie: Phototransistor, Tension directe maximum: 1.3V, MPN: ILQ615-1

EUR 0.78

1

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3, Type de montage: Traversant, Type de sortie: Phototransistor, Tension directe maximum: 1.3V, MPN: ILQ615-1

EUR 0.78

1

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%, Tension directe maximum: 1.65V, Type de boîtier: DIP, Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 60 mA, Tension d'isolement: 5,3 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 80%, Temps de chute: 11µs, MPN: SFH617A-1

EUR 0.36

1

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%, Tension directe maximum: 1.65V, Type de boîtier: DIP, Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 60 mA, Tension d'isolement: 5,3 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 80%, Temps de chute: 11µs, MPN: SFH617A-1

EUR 0.57

1

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Transistor 40 %

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Transistor 40 %, Tension directe maximum: 1.5V, Nombre de broches: 6, Type de boîtier: PDIP, Type de courant d'entrée: c.c., Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 5 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 50%, MPN: 4N35

EUR 0.28

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal P,, SOT-23 (TO-236) 530 mA 150 V, 3 broches

Vishay Multiplexer; Analog; 8; 44 V; 40 Ohms (Typ.); 1 nA (Max.); 1 nA (Max.); -40 deg

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay MOSFET canal N,, PowerPAK SO-8L 40 V

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay MOSFET canal N,, TO-252 30 A 40 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, SOT-23 8 A 40 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, Super-247 40 A 600 V, 3 broches

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3

Vishay DIP-16 CPL QUAD 40-80% CTR -e3

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Phototransistor 40%

Vishay Optocoupleur Traversant,, Sortie Transistor 40 %

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