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Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 288 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,7 nC a 10 V, MPN: SI3459BDV-T1-GE3

EUR 0.25
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA403EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA403EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQA403EJ-T1_GE3

EUR 0.37
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 760 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 1.37
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA401EEJ-T1_GE3, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA401EEJ-T1_GE3, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.40
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.46
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 0.69
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40031EL_GE3, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 30 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.31
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 0.69
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiSH617DN-T1-GE3, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiSH617DN-T1-GE3, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.24
1

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SQD40061EL_GE3, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 100 A, 40 V, 3 + Tab-Pin, TO-252 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.45
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiSH617DN-T1-GE3, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiSH617DN-T1-GE3, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.24
1

Vishay Siliconix MOSFET, SI7469DP-T1-E3, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SI7469DP-T1-E3, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 29 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 1.56
1

Vishay Siliconix MOSFET, SI7469DP-T1-E3, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SI7469DP-T1-E3, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 28 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 29 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 2.29
1

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: Si2319DDS-T1-GE3

EUR 0.37
1

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: Si2319DDS-T1-GE3

EUR 0.44
1

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: Si2319DDS-T1-GE3

EUR 0.20
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.54
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ415EP-T1_GE3, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ415EP-T1_GE3, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ415EP-T1_GE3

EUR 0.42
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.22
1