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onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 320 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +8 V, Altura: 1mm, Longitud: 2.2mm, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.44
1

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 320 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.14
1

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si

onsemi MOSFET, NTJD1155LG, Dual, N/P-Canal, 1,3 A, 8 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Interruptor de carga N+P Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 320 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.44
1

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 115 mΩ, 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Altura: 1.1mm, Longitud: 3.1mm, MPN: NTHC5513T1G

EUR 0.83
1

onsemi MOSFET, FDMA1032CZ, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDMA1032CZ, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 3,1 A, 3,7 A, 20 V, 6-Pin, MLP PowerTrench Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 68 mΩ, 95 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 1400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Altura: 0.75mm, Longitud: 2mm, MPN: FDMA1032CZ

EUR 0.78
1

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 115 mΩ, 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTHC5513T1G

EUR 0.36
1

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si

onsemi MOSFET, NTHC5513G, Dual, N/P-Canal, 3 A, 3,9 A, 20 V, 8-Pin, ChipFET Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 115 MΩ, 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTHC5513T1G

EUR 0.83
1

onsemi MOSFET, NTLJD3119CTBG, Dual, N/P-Canal, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-Pin, WDFN Aislado Si

onsemi MOSFET, NTLJD3119CTBG, Dual, N/P-Canal, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-Pin, WDFN Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-Pin, WDFN Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 120 MΩ, 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTLJD3119CTBG

EUR 0.78
1