Vores kunder ligger øverst på Google

Google Ads Specialister fra Vestjylland

Vi er 100% dedikerede til Google Annoncering – Vi har mange års erfaring med Google Ads og den bruger vi på at opsætte, optimere & vedligeholde vores fantastiske kunders konti.

100% Specialiseret i Google Ads
Vi har mange års erfaring fra +300 konti
Ingen lange bindinger & evighedskontrakter
Jævnlig opfølgning med hver enkelt kunde
Vi tager din virksomhed seriøst
KONTAKT OS
LÆS UDTALELSER & SUCCESHISTORIER

16 Résultats (0,16406 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

onsemi MOSFET, FDME1023PZT, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDME1023PZT, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDME1023PZT

EUR 0.39
1

onsemi MOSFET, FDME1023PZT, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDME1023PZT, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, P-Canal, 2,6 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDME1023PZT

EUR 0.28
1

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 30,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCPF650N80Z

EUR 3.05
1

onsemi MOSFET, FQP11N40C, N-Canal-Canal, 10.5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si

onsemi MOSFET, FQP11N40C, N-Canal-Canal, 10.5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 10.5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 135000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FQP11N40C

EUR 1.87
1

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 30,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16.07mm, Longitud: 10.36mm, MPN: FCPF650N80Z

EUR 3.56
1

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, FCPF650N80Z, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220F SuperFET II Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 30,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FCPF650N80Z

EUR 3.56
1

onsemi MOSFET, FQP11N40C, N-Canal-Canal, 10,5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si

onsemi MOSFET, FQP11N40C, N-Canal-Canal, 10,5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si

onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 10,5 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB QFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 135 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FQP11N40C

EUR 1.60
1

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 0.5mm, Longitud: 1.6mm, MPN: FDME1034CZT

EUR 0.75
1

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET fino PowerTrench Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDME1034CZT

EUR 0.91
1

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, FDME1034CZT, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si

onsemi MOSFET, Dual, N/P-Canal, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-Pin, MicroFET Thin PowerTrench Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 MΩ, 530 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: FDME1034CZT

EUR 0.38
1