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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8, MPN: NTTFS008P03P8Z

EUR 1.87

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3, MPN: NTNS2K1P021ZTCG

EUR 0.25

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onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale, MPN: NTMFS002P03P8ZT1G

EUR 1.84

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onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, MPN: NTMC083NP10M5L

EUR 0.48

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onsemi IGBT, canale P, TO-247

onsemi IGBT, canale P, TO-247, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5.2mm, Altezza: 22.74mm, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH75T65SQDTL4

EUR 4.81

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1V, Serie: NTN, MPN: NTNS2K1P021ZTCG

EUR 0.32

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1V, Serie: NTN, MPN: NTNS2K1P021ZTCG

EUR 0.16

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onsemi MOSFET, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: NTMFS002P03P8ZT1G

EUR 1.02

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: NTTF, MPN: NTTFS008P03P8Z

EUR 1.89

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: NTTF, MPN: NTTFS008P03P8Z

EUR 2.41

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onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 8 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Interruttore di carico N+P, Tensione massima gate source: +8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 8 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Interruttore di carico N+P, Tensione massima gate source: +8 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 2.2mm, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 8 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Interruttore di carico N+P, Tensione massima gate source: +8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTJD1155LT1G

EUR 0.14

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: NTMFS002P03P8ZT1G

EUR 2.22

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 2, Serie: NTMC0, MPN: NTMC083NP10M5L

EUR 0.56

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 2, Serie: NTMC0, MPN: NTMC083NP10M5L

EUR 0.27

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onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, MPN: FDS4685

EUR 0.82

1

onsemi MOSFET, canale P, 20 mΩ, 8,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 20 mΩ, 8,8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 1.5mm, MPN: FDS4435BZ

EUR 0.33

1

onsemi MOSFET, canale P, 250 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 250 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, MPN: NDS9407

EUR 0.70

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onsemi MOSFET, canale P, 3,6 Ω, 1,8 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 3,6 Ω, 1,8 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 42 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 0.95mm, Lunghezza: 3mm, MPN: FDMC2523P

EUR 1.57

1

onsemi MOSFET, canale P, 170 mΩ, 3,6 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 170 mΩ, 3,6 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,4 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.5mm, Lunghezza: 2mm, MPN: FDMA6023PZT

EUR 0.62

1

onsemi MOSFET, canale P, 32 mΩ, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 32 mΩ, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS6975

EUR 1.48

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onsemi MOSFET, canale P, 13 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 13 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.5mm, MPN: FDS6575

EUR 1.04

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onsemi MOSFET, canale P, 5 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 1.5mm, MPN: FDS6681Z

EUR 1.77

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onsemi MOSFET, canale P, 14 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 14 mΩ, 11 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS6576

EUR 0.60

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi IGBT, canale P, TO-247

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onsemi Transistor MOSFET, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3

onsemi MOSFET, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET, canale P, 0,0038 Ω, 96 A, PQFN8

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 320 mΩ, 1,3 A, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,0014 Ω, 263 A, SO, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 0,083 Ω, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 20 mΩ, 8,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 250 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 3,6 Ω, 1,8 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 170 mΩ, 3,6 A, MLP, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 32 mΩ, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 13 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

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