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onsemi MOSFET, APMCA-A16 26 A 650 V, 16 broches

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EUR 21.05

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onsemi MOSFET, APMCA-A16 26 A 650 V, 16 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,082 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: NXV65HR, MPN: NXV65HR82DZ1

EUR 29.96

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EUR 21.73

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EUR 22.25

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EUR 28.81

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EUR 23.36

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EUR 28.81

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onsemi MOSFET, APMCA-A16 26 A 650 V, 16 broches

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EUR 29.96

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onsemi MOSFET, APMCA-A16 26 A 650 V, 16 broches

onsemi MOSFET, APMCA-A16 26 A 650 V, 16 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,082 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: NXV65HR, MPN: NXV65HR82DS1

EUR 22.80

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.66

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: NTMFD5C680NLT1G

EUR 1.16

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.64

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.44

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.90

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.87

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onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Série, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 3.4mm, MPN: FDPC8013S

EUR 1.89

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onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 265 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 15.38mm, Longueur: 10.1mm, MPN: FDP26N40

EUR 2.79

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onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Série, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDPC8013S

EUR 1.08

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onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Série, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDPC8013S

EUR 2.21

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onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 265 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDP26N40

EUR 3.37

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onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 265 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDP26N40

EUR 2.86

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onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 26 A 150 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 26 A 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 63 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.39mm, Longueur: 6.73mm, MPN: FDD390N15A

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Genre

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Prix (EUR)

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

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onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

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