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onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches, MPN: NVBLS1D7N08H

EUR 4.24

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V, MPN: NTBL082N65S3HF

EUR 5.55

1

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches, MPN: NTBL050N65S3H

EUR 4.78

1

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, DFN, 8 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 22.5mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Nombre de sorties: 1, Puissance: 2.5W, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2 x 2 x 0.95mm, MPN: NCP45520IMNTWG-H

EUR 1.04

1

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, DFN, 8 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 22.5mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Nombre de sorties: 1, Puissance: 2.5W, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2 x 2 x 0.95mm, MPN: NCP45520IMNTWG-H

EUR 0.51

1

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0017 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: NVBLS1D7N08H

EUR 4.71

1

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0017 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: NVBLS1D7N08H

EUR 2.41

1

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, DFN, 8 broches, Type de commutateur de puissance: Commutateur de charge contrôlé, Résistance RDSon de commutation: 22.5mΩ, Nombre de sorties: 1, Tension: 3 → 5.5V, Puissance: 2.5W, Type de montage: CMS, Dimensions: 2 x 2 x 0.95mm, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: NCP45520IMNTWG-H

EUR 1.04

1

onsemi High Side,, NCP45521IMNTWG-H, DFN, 8 broches High Side NCP45521

onsemi High Side,, DFN, 8 broches High Side NCP45521, Résistance RDS(on) de commutation: 22.5mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2 x 2 x 0.95mm, MPN: NCP45521IMNTWG-H

EUR 0.51

1

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTBL050N65S, MPN: NTBL050N65S3H

EUR 5.22

1

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,05 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: NTBL050N65S, MPN: NTBL050N65S3H

EUR 6.50

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,082 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: SUPERFET III, MPN: NTBL082N65S3HF

EUR 3.39

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,082 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: SUPERFET III, MPN: NTBL082N65S3HF

EUR 6.15

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 470 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 470 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 2, Série: NTBLS0D7N06C

EUR 3.92

1

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 980 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: FDBL9403L-F085

EUR 2.70

1

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.25V, MPN: FDBL86066-F085

EUR 3.04

1

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 300 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 300 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 970 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 429 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: FDBL9401L-F085

EUR 3.44

1

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 9.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDBL86066-F085

EUR 3.81

1

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 9.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDBL86066-F085

EUR 2.69

1

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches, Puissance de sortie typique: 9.8dBm, Bruit typique: 4.1dB, Type de montage: CMS, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Longueur: 2mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V

EUR 0.16

1

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches, Puissance de sortie typique: 9.8dBm, Bruit typique: 4.1dB, Type de montage: CMS, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Longueur: 2mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V

EUR 0.25

1

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches, Puissance de sortie typique: 9.8dBm, Bruit typique: 4.1dB, Type de montage: CMS, Dimensions: 2 x 1.6 x 0.85mm, Longueur: 2mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V

EUR 0.39

1

onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

onsemi Diode infrarouge,, Traversant, 880nm, Type de boîtier: 5 mm (T-1 3/4), Dimensions: 4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm, MPN: QED223

EUR 0.38

1

onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

onsemi Diode infrarouge,, Traversant, 880nm, Type de boîtier: 5 mm (T-1 3/4), Dimensions: 4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm, MPN: QED223

EUR 0.60

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onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

onsemi Diode infrarouge,, Traversant, 880nm, Type de boîtier: 5 mm (T-1 3/4), Dimensions: 4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm, MPN: QED223

EUR 0.38

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 241,3 A 80 V, 8 broches

onsemi Charge contrôlée,, NCP45520IMNTWG-H, DFN, 8 broches

onsemi High Side,, NCP45521IMNTWG-H, DFN, 8 broches High Side NCP45521

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-psof8L 49 A 650 V, 8 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 40 A 650 V

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N,, H-psof8L 470 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 300 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, H-PSOF 240 A 100 V, 8 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Amplificateur RF SMA3117-TL-H, Bande large Gain=33,5 dB, 3 GHZ MCPH,6 broches

onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

onsemi Diode infrarouge,, QED223, Traversant, 880nm

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