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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: NTMFD5C680NLT1G

EUR 1.16

3

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 1.8A, 2.6Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 1.8A, 2.6Ω, Power Switch Type: OFF Lineer (linea disattivata), Potenza nominale: 60W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.16 x 4.8 x 16.07mm, MPN: FSGM0465RWDTU

EUR 0.94

1

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 1.8A, 2.6Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 1.8A, 2.6Ω, Power Switch Type: OFF Lineer (linea disattivata), Potenza nominale: 60W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.16 x 4.8 x 16.07mm, MPN: FSGM0465RWDTU

EUR 0.94

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.87

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.66

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.64

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.64

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.66

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.90

1

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.46

1

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 155 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 9.4mm, Lunghezza: 10.1mm, MPN: FQP55N10

EUR 0.81

1

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 62 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQPF47P06

EUR 3.05

1

onsemi MOSFET, canale N, 9,2 mΩ, 26 A, Power 33, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 9,2 mΩ, 26 A, Power 33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Serie, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.75mm, Lunghezza: 3.4mm, MPN: FDPC8013S

EUR 1.89

1

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 62 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQPF47P06

EUR 3.56

1

onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 265 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.38mm, Lunghezza: 10.1mm, MPN: FDP26N40

EUR 2.79

1

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 47 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 47 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 9.4mm, Lunghezza: 10.1mm, MPN: FQP47P06

EUR 3.33

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onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω, Power Switch Type: OFF Lineer (linea disattivata), Numero di uscite: 1, Potenza nominale: 70W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.36 x 4.8 x 16.08mm, MPN: FSGM0565RLDTU

EUR 0.67

1

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω, Power Switch Type: OFF Lineer (linea disattivata), Numero di uscite: 1, Potenza nominale: 70W, Tipo di montaggio: Su foro, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Dimensioni: 10.36 x 4.8 x 16.08mm, MPN: FSGM0565RLDTU

EUR 0.68

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.44

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLWFT1G

EUR 0.90

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFD5C680NLT1G

EUR 0.87

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Série, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 3.4mm, MPN: FDPC8013S

EUR 1.89

1

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 265 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 15.38mm, Longueur: 10.1mm, MPN: FDP26N40

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onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 1.8A, 2.6Ω

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onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

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onsemi MOSFET, canale N, 41 mΩ, 26 A, DFN, Montaggio superficiale

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onsemi MOSFET, canale N, 26 mΩ, 55 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 9,2 mΩ, 26 A, Power 33, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 30 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 26 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 26 mΩ, 47 A, TO-220AB, Su foro

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω

onsemi Switch di alimentazione CI, TO-220F, 6 pin, 26 V, 2.2A, 2.2Ω

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 26 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 33 26 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, A-220 26 A 400 V, 3 broches

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