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onsemi Scheda di valutazione Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board

onsemi Scheda di valutazione Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board, Dispositivo completo: NOA1305CUTAG, PCA9655EMTTXG, MPN: ALS-GEVB

EUR 12.33

1

onsemi Placa de evaluación Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board - ALS-GEVB

onsemi Placa de evaluación Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board - ALS-GEVB, Dispositivo mostrado: NOA1305CUTAG, PCA9655EMTTXG

EUR 12.33

1

onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches

onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 2.9 x 1.6 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2.9mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.6mm, MPN: CPH6350-TL-W

EUR 10.94

2

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: FDC5661N-F085

EUR 14.04

1

onsemi AEC-Q100,, NCP380LMUAJAATBG, UDFN, 6 broches

onsemi AEC-Q100,, UDFN, 6 broches, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Courant de fonctionnement maximum: 2.1A, Type de montage: CMS, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 2 x 2 x 0.5mm, Largeur: 2mm, MPN: NCP380LMUAJAATBG

EUR 12.30

2

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,25 V, MPN: SBC846BDW1T1G

EUR 19.29

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 800 mW, Tension Collecteur Base maximum: 100 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,3 V, MPN: NSS60601MZ4T1G

EUR 13.23

2

onsemi Transistor Digitale, 6 Pin, TSOT-23, Montaggio superficiale

onsemi Transistor Digitale, 6 Pin, TSOT-23, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Dimensioni: 3 x 1.7 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Lunghezza: 3mm, Minima temperatura operativa: -55 °C, Larghezza: 1.7mm, MPN: FDC5661N-F085

EUR 14.04

1

onsemi Módulo de potencia inteligente, NFAP0560L3TT-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie

onsemi Módulo de potencia inteligente-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie, MPN: NFAP0560L3TT

EUR 12.17

1

onsemi Kit de développement pour capteur

onsemi Kit de développement pour capteur, Dispositif: NOA1305CUTAG, PCA9655EMTTXG, Classification du kit: Carte d'évaluation, Nom du kit: Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board, MPN: ALS-GEVB

EUR 12.33

1

onsemi Optocoupleur Traversant,, Sortie Driver Triac

onsemi Optocoupleur Traversant,, Sortie Driver Triac, Tension directe maximum: 1.5V, Nombre de broches: 6, Type de boîtier: DIP, Courant d'entrée maximum: 60 mA, Tension d'isolement: 4 170 V rms c.a. (minimum), MPN: MOC3012M

EUR 11.26

2

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA430NZ

EUR 17.27

2

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 2mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA520PZ

EUR 17.88

2

onsemi Transistor NPN ON Semiconductor, 6 Pin, SOT-363, 100 mA, 65 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor NPN ON Semiconductor, 6 Pin, SOT-363, 100 mA, 65 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 380 mW, Tensione massima base del collettore: 80 V, Tensione massima base emitter: 6 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Numero di elementi per chip: 2, Dimensioni: 2.2 x 1.35 x 1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,25 V, MPN: SBC846BDW1T1G

EUR 19.29

1

onsemi Módulo de potencia inteligente, NFAP0560L3TT-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie

onsemi Módulo de potencia inteligente-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie, Disipación de Potencia Máxima: 12 W, MPN: NFAP0560L3TT

EUR 13.46

1

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5233DW1T1G

EUR 10.60

2

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 2 x 2 x 0.72mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FDMA420NZ

EUR 17.41

2

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5333DW1T1G

EUR 12.24

2

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 385 mW, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 2.2 x 1.35 x 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MUN5335DW1T1G

EUR 10.75

2

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Prix (EUR)

onsemi Scheda di valutazione Ambient Light Sensor (ALS) Shield Evaluation Board

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onsemi Transistor numérique, CPH6, 6 broches

onsemi Transistor numérique, TSOT-23, 6 broches

onsemi AEC-Q100,, NCP380LMUAJAATBG, UDFN, 6 broches

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 65 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN Simple, 6 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

onsemi Transistor Digitale, 6 Pin, TSOT-23, Montaggio superficiale

onsemi Módulo de potencia inteligente, NFAP0560L3TT-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie

onsemi Kit de développement pour capteur

onsemi Optocoupleur Traversant,, Sortie Driver Triac

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor numérique, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor NPN ON Semiconductor, 6 Pin, SOT-363, 100 mA, 65 V, Montaggio superficiale

onsemi Módulo de potencia inteligente, NFAP0560L3TT-1, N-Canal, 600 V, SIP, 29-Pines 6 Serie

onsemi Transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor numérique Simple, MicroFET 2 x 2, 6 broches

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN + PNP, 100 mA, 50 V, SOT-363, 6 broches Dual

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