Vores kunder ligger øverst på Google

Google Ads Specialister fra Vestjylland

Vi er 100% dedikerede til Google Annoncering – Vi har mange års erfaring med Google Ads og den bruger vi på at opsætte, optimere & vedligeholde vores fantastiske kunders konti.

100% Specialiseret i Google Ads

Vi har mange års erfaring fra +300 konti

Ingen lange bindinger & evighedskontrakter

Jævnlig opfølgning med hver enkelt kunde

Vi tager din virksomhed seriøst

KONTAKT OS

LÆS UDTALELSER & SUCCESHISTORIER

22 Résultats (0,14863 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits

Boutiques

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 455 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5.2mm, Altezza: 22.74mm, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, MPN: FGH75T65SHDTL4

EUR 6.89

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5.2mm, Altezza: 22.74mm, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 7.92

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 454 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Capacità del gate: 5000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH40T120SQDNL4

EUR 6.92

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 14 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 14 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 72 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 21 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVTFS5116PLTAG

EUR 8.00

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 455 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Classe di efficienza energetica: 160mJ, Capacità del gate: 3710pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FGH75T65SHDTL4

EUR 8.03

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 455 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Classe di efficienza energetica: 160mJ, Capacità del gate: 3710pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FGH75T65SHDTL4

EUR 6.00

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Classe di efficienza energetica: 160mJ, Capacità del gate: 5100pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 8.87

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 454 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Larghezza: 5.2mm, Altezza: 22.74mm, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Capacità del gate: 5000pF, MPN: FGH40T120SQDNL4

EUR 6.91

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 454 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Capacità del gate: 5000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH40T120SQDNL4

EUR 8.03

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Classe di efficienza energetica: 50mJ, Capacità del gate: 3813pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH60T65SQD-F155

EUR 5.49

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Classe di efficienza energetica: 160mJ, Capacità del gate: 5100pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 6.67

onsemi IGBT, FGH40T120SQDNL4, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple

onsemi IGBT, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 454 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Capacitancia de puerta: 5000pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: FGH40T120SQDNL4

EUR 6.92

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

onsemi IGBT, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Energía nominal: 160mJ, Capacitancia de puerta: 5100pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 6.67

onsemi IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

onsemi IGBT, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 455 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Energía nominal: 160mJ, Capacitancia de puerta: 3710pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FGH75T65SHDTL4

EUR 6.00

Vores kunder ligger øverst på Google

Google Ads Specialister fra Vestjylland

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi MOSFET canal P,, WDFN 14 A 60 V, 8 broches

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03

onsemi IGBT ON Semiconductor, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247

onsemi IGBT, FGH40T120SQDNL4, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

onsemi IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

NORDIC AD PARTNER

Powered by Cobiro