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onsemi, NCP51810AMNTWG, QFN15, 15 broches High Side

onsemi, QFN15, 15 broches High Side, MPN: NCP51810AMNTWG

EUR 1.75

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onsemi, NCP51810AMNTWG, QFN15, 15 broches High Side

onsemi, QFN15, 15 broches High Side, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 17 V, Courant de fonctionnement maximum: 0.0025A, MPN: NCP51810AMNTWG

EUR 2.06

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onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 15 mΩ, 50 A, DPAK

onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 15 mΩ, 50 A, DPAK, MPN: NTDS015N15MCT4G

EUR 1.27

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onsemi ON Semiconductor, NCP51810AMNTWG, QFN15, 15 broches High Side

onsemi ON Semiconductor, QFN15, 15 broches High Side, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 17 V, Courant de fonctionnement maximum: 0.0025A, MPN: NCP51810AMNTWG

EUR 1.40

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onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20D

EUR 0.50

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onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20D

EUR 0.30

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onsemi Diode traversante, 2A, 400V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 400V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20G

EUR 0.71

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onsemi Diode traversante, 2A, 600V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 600V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.7V, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20J

EUR 0.33

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onsemi Diode traversante, 2A, 400V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 400V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20G

EUR 0.30

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onsemi Diode traversante, 2A, 800V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 800V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.7V, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20K

EUR 0.61

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onsemi Diode traversante, 2A, 600V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 600V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.7V, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20J

EUR 0.62

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onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 950mV, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20D

EUR 0.71

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onsemi Diode traversante, 2A, 400V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20G

EUR 0.50

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onsemi Diode traversante, 2A, 800V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.7V, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20K

EUR 0.26

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onsemi Diode traversante, 2A, 600V, DO-15

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EUR 0.44

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onsemi Diode traversante, 2A, 800V, DO-15

onsemi Diode traversante, 2A, 800V, DO-15, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.7V, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, Diamètre: 3.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: EGP20K

EUR 0.43

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onsemi Diodo, Su foro, 2A, 600V, DO-15, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.7V, Picco del tempo di recovery inverso: 75ns, Diametro: 3.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 75A, MPN: EGP20J

EUR 0.44

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onsemi Diodo, Su foro, 2A, 400V, DO-15, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 3.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 75A, MPN: EGP20G

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onsemi Diodo, Su foro, 2A, 800V, DO-15, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.7V, Picco del tempo di recovery inverso: 75ns, Diametro: 3.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 75A, MPN: EGP20K

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onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 15 mΩ, 50 A, DPAK

onsemi ON Semiconductor, NCP51810AMNTWG, QFN15, 15 broches High Side

onsemi Diode traversante, 2A, 200V, DO-15

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