ROHM MOSFET, HP8MA2TB1, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A

ROHM MOSFET, Dual, N/P-Canal, 15 (canal P) A, Tipo de Canal: N, P, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 15 (canal P) A; 18 (canal N) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 30 V, Tipo de Encapsulado: HSOP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Disipación de Potencia Máxima: 7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: HP8MA2TB1